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J-GLOBAL ID：200902001879608161   整理番号：92A0788650

Defects in electron of proton irradiated undoped and Si-doped GaAs studied by positron annihilation.

著者 (3件)： ITOH Y (Inst. Physical and chemical Research, Saitama, JPN) ,  MURAKAMI H (Tokyo Gakugei Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI T (National Lab. High Energy Physics, Ibaraki, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 105/110  号： Pt 2  ページ： 1085-1088  発行年： 1992年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (2件)： Si ,  GaAs