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J-GLOBAL ID：200902001881129807   整理番号：87A0268176

半導体への不純物の中性子転換注入

Neutron transmutation doping of impurities into semiconductors.

著者 (1件)： 栗山一男 (法政大 イオンビーム工研)
資料名： 法政大学イオンビーム工学研究所報告  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University)
号： 6  ページ： 3-13  発行年： 1985年 
JST資料番号： S0830B  ISSN： 0286-0201  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 標記の方法はイオン注入法にくらべると電気的活性化率が100%...

シソーラス用語： 中性子照射 ,...
準シソーラス用語： NTD ,...

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分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 不純物 ,  中性子 ,  転換 ,  注入