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文献
J-GLOBAL ID:200902001881624719   整理番号:92A0283775

狭チャネルディープ・サブミクロンデバイスにおいて,新しい三次元MOSFETのゲート誘起性ドレインリーク効果

A new three-dimensional MOSFET gate-induced drain leakage effect in narrow deep submicron devices.
著者 (5件):
資料名:
巻: 1991  ページ: 839-842  発行年: 1991年 
JST資料番号: C0829B  ISSN: 0163-1918  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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