(100)GaAs上のAlxGa1-xAs(x=0.2-0.7)分子線エピタキシャル成長におけるAs種(As4およびAs2)の比較

HAYAKAWA T; MORISHIMA M; NAGAI M; HORIE H; MATSUMOTO K

文献

J-GLOBAL ID：200902001883966986 整理番号：92A0000482

(100)GaAs上のAl_xGa_1-xAs(x=0.2-0.7)分子線エピタキシャル成長におけるAs種(As₄およびAs₂)の比較

Comparison of As species (As₄ and As₂) in molecular beam epitaxial growth of Al_xGa_1-xAs (x=0.2-0.7) on (100) GaAs.

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資料名：
巻： 59 号： 19 ページ： 2415-2417 発行年： 1991年11月04日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

温度範囲540-780°CでAs₄および...

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