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J-GLOBAL ID:200902001884771321   整理番号:90A0149893

シリコン中の転位に関係した電気的活性

Electrical activity associated with dislocations in silicon.
著者 (3件):
資料名:
号: 104  ページ: 169-174  発行年: 1989年 
JST資料番号: E0403B  ISSN: 0305-2346  CODEN: IPHSAC  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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凍結した赤外線誘起電流法(Q-IRBIC)によって,転位の電...
シソーラス用語:
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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光伝導,光起電力  ,  半導体の格子欠陥 
タイトルに関連する用語 (3件):
タイトルに関連する用語
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