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文献J-GLOBAL ID:200902001889369823整理番号:91A0813693

バイポーラ論理回路を用いた高速・大容量Bi‐CMOS SRAMの構成法

A High-Speed Large-Capacity Bi-CMOS SRAM with Bipolar Current Switch Logic.

著者:道関隆国(NTT LSI研)、大森康生(NTTエレクトロニクステクノロジー)
資料名:電子情報通信学会論文誌 C-2 巻:74 号:9 ページ:690-699
発行年:1991年09月
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