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J-GLOBAL ID：200902001889369823   整理番号：91A0813693

バイポーラ論理回路を用いた高速・大容量Bi-CMOS SRAMの構成法

A High-Speed Large-Capacity Bi-CMOS SRAM with Bipolar Current Switch Logic.

著者 (2件)： 道関隆国 (NTT LSI研) ,  大森康生 (NTTエレクトロニクステクノロジー)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C-2  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C-2)
巻： 74  号： 9  ページ： 690-699  発行年： 1991年09月 
JST資料番号： L0196A  ISSN： 0915-1907  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： バイポーラECL RAMの速度性能に匹敵するBi-CMOS ...

シソーラス用語： SRAM ,...

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分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (4件)： バイポーラ論理回路 ,  大容量 ,  Bi-CMOS ,  SRAM