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{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:200902001903226046   整理番号:91A0942915

Pressure dependence of a deep excitonic level in silicon.

著者 (2件):
資料名:
ページ: 27-32  発行年: 1990年 
JST資料番号: K19910585  ISBN: 1-55899-051-8  資料種別: 会議録 (C)
発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)

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