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J-GLOBAL ID：200902001903632656   整理番号：81A0420124

半導体のイオン誘起欠陥

Ion-induced defects in semiconductors.

著者 (3件)： CORBETT J W (SUNY, New York) ,  KARINS J P (SUNY, New York) ,  TAN T Y (IBM, NY)
資料名： Nuclear Instruments & Methods  (Nuclear Instruments & Methods)
巻： 182/183  号： 1  ページ： 457-476  発行年： 1981年04月15日 
JST資料番号： D0208A  ISSN： 0029-554X  CODEN： NUIMA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 欠陥の荷電状態依存性,欠陥移動機構,損傷発生増大機構を含め,...

シソーラス用語： 半導体 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン ,  誘起 ,  欠陥