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J-GLOBAL ID：200902001908791299   整理番号：84A0046218

フォーミングガス焼なましを行ったTi/Ptオーム接触に見られるブリスタリングの起源

Origin of blistering observed on forming-gas-annealed Ti/Pt ohmic contacts.

著者 (1件)： HENEIN G (Bell Lab., NJ)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 109  号： 2  ページ： 115-125  発行年： 1983年11月11日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs/(Al-Ga-As)半導体レーザへのTi/Ptオー...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...

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分類 (2件)： 半導体レーザ  (BD04070L) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (7件)： フォーミングガス ,  焼なまし ,  Ti ,  Pt ,  オーム接触 ,  ブリスタリング ,  起源