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J-GLOBAL ID:200902001916948377   整理番号:81A0428075

非晶質けい素において定光電流法で直接測定したギャップ状態とバンドすそ吸収

Direct measurement of the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon.
著者 (4件):
資料名:
巻: 39  号: 11  ページ: 1199-1202  発行年: 1981年09月 
JST資料番号: H0499A  ISSN: 0038-1098  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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標記の膜の低吸収領域(10-1~10<...
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分類 (4件):
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非晶質の電子構造【’81~’86】  ,  光伝導,光起電力  ,  その他の光物性  ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル 

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