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文献J-GLOBAL ID:200902001916948377整理番号:81A0428075

Direct measurement of the gap states and band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon.

非晶質けい素において定光電流法で直接測定したギャップ状態とバンドすそ吸収

著者:VANECEK M(Inst. Physics Czechoslovak Academy of Sciences)、KOCKA J(Inst. Physics Czechoslovak Academy of Sciences)、STUCHL<span style=text-decoration:overline>I ́</span>K J(Inst. Physics Czechoslovak Academy of Sciences)・・・
資料名:Solid State Commun 巻:39 号:11 ページ:1199-1202
発行年:1981年09月
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