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文献J-GLOBAL ID:200902001917501538整理番号:85A0392014

Reactive sputtering of copper and silicon near the sputtering threshold.

スパッタリング限界付近の銅とシリコンの反応性スパッタリング

著者:MAYER T M(IBM, New York)、HARPER J M E(IBM, New York)、CUOMO J J(IBM, New York)
資料名:J Vac Sci Technol A 巻:3 号:4 ページ:1779-1783
発行年:1985年07月
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