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J-GLOBAL ID：200902001920177040   整理番号：86A0095423

半導体の電気的およびオプトエレクトロニクス的特性 I 半導体素子内の電子構造とかく乱現象

Proprieta elettriche e optoelettroniche dei semiconduttori. I. Struttura elettronica e fenomeni di disordine nei semiconduttori elementari.
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著者 (2件)：
PIZZINI S

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(Univ. Milano, Italy)

Univ. Milano, Italy について

, 
NARDUCCI D

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(Univ. Milano, Italy)

Univ. Milano, Italy について


資料名：
Chimica & l’Industria  (Chimica & l'Industria)

Chimica & l’Industria について


巻： 67  号： 10  ページ： 553-570  発行年： 1985年10月 
JST資料番号： B0275A  ISSN： 0009-4315  CODEN： CINMA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イタリア (ITA)  言語： イタリア語 (IT)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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結晶半導体および非晶質の電気的特性,結晶けい素における欠陥,...
シソーラス用語：
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オプトエレクトロニクス

オプトエレクトロニクス について

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担体

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分類 (1件)：
分類
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非晶質の電子構造【’81~’86】 
(BM02040R)

非晶質の電子構造【’81~’86】 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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オプトエレクトロニクス

オプトエレクトロニクス について

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半導体素子

半導体素子 について

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電子構造

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かく乱

かく乱 について

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現象

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