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J-GLOBAL ID：200902001925744202   整理番号：91A0072847

二次元数値シミュレーションによる薄膜SOIトランジスタの負性抵抗とバイポーララッチアップの特性化

Characterisation of negative resistance and bipolar latchup in thin film SOI transistors by two-dimensional numerical simulation.

著者 (3件)： ARMSTRONG G A (Queen’s Univ., Belfast, IRL) ,  THOMAS N J (British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR) ,  DAVIS J R (British Telecom Research Lab., Ipswich, GBR)
資料名： Proceedings. 1989 IEEE SOS/SOI Technology Conference  (Proceedings. 1989 IEEE SOS/SOI Technology Conference)
ページ： 44-45  発行年： 1989年 
JST資料番号： K19901039  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高ゲート電圧で負性抵抗領域を示し,破壊電圧がより小さく,ゲー...

シソーラス用語： 薄膜トランジスタ ,...
準シソーラス用語： FIPOS

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分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  (BM03074V)

タイトルに関連する用語 (8件)： 数値シミュレーション ,  薄膜 ,  SOI ,  トランジスタ ,  負性抵抗 ,  バイポーラ ,  ラッチアップ ,  特性化