シリコン中のほう素,アンチモン,ゲルマニウムのデルタドーピングの二次イオン質量深さ分析と分布分解に対する意味

DOWSETT M G; COLLINS R; BARLOW R D; FOX H S; KUBIAK R A A

文献

J-GLOBAL ID：200902001931408796 整理番号：92A0229575

シリコン中のほう素,アンチモン,ゲルマニウムのデルタドーピングの二次イオン質量深さ分析と分布分解に対する意味

Secondary ion mass spectrometry depth profiling of boron, antimony, and germanium deltas in silicon and implications for profile deconvolution.

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資料名：
巻： 10 号： 1 ページ： 336-341 発行年： 1992年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Siにおける極薄δ層のSIMS深さ分析の形状と不純物および一...

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半導体の格子欠陥 , 半導体-半導体接触【’81~’92】

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