文献

J-GLOBAL ID：200902001933087962   整理番号：88A0454745

Si基板上のAlGaAs/GaAsレーザの高速変調とCW動作

High speed modulation and CW operation of AlGaAs/GaAs lasers on Si.

著者 (6件)： CHEN H Z (California Inst. Technology, CA, USA) ,  PASLASKI J (California Inst. Technology, CA, USA) ,  GHAFFARI A (California Inst. Technology, CA, USA) ,  WANG H (California Inst. Technology, CA, USA) ,  MORKOC H (California Inst. Technology, CA, USA) ,  YARIV A (California Inst. Technology, CA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 1987  ページ： 238-241  発行年： 1987年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MBE法によって標記を最初に試作した。リッジ導波レーザ(10...

シソーラス用語： AlGaAsレーザ ,...
準シソーラス用語： モノリシック集積回路

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0454745&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=C0829B") }}

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  レーザ ,  変調 ,  CW