高度にひ素ドープした多結晶シリコン薄皮膜内の多数担体移動の温度依存性

CRESSLER J D; HWANG W; CHEN T-C

文献

J-GLOBAL ID：200902001934410023 整理番号：89A0338975

高度にひ素ドープした多結晶シリコン薄皮膜内の多数担体移動の温度依存性

On the temperature dependence of majority carrier transport in heavily arsenic-doped polycrystalline silicon thin films.

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巻： 136 号： 3 ページ： 794-804 発行年： 1989年03月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

高度にAsドープした多結晶Si薄皮膜のDC導電率の,温度依存...

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半導体結晶の電気伝導

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