a-SiC:H/a-Si:Hヘテロ接合におけるi-層の低レベルドーピングの効果

文献

J-GLOBAL ID：200902001947278809 整理番号：88A0133398

Effects of low level doping of i-layer in a-SiC:H/a-Si:H heterojunction solar cells.

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資料名：
巻： 19th ページ： 604-609 発行年： 1987年
JST資料番号： E0756A ISSN： 0160-8371 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

低レベルのリンをp/iインタフェイス,i層全体,i/nインタ...

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