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J-GLOBAL ID：200902001948013159   整理番号：83A0468619

二次電子を用いたSchottky障壁高さの非接触測定

Contactless measurement of Schottky barrier heights using secondary electrons.

著者 (2件)： HUANG H-C W (IBM, New York) ,  HO P S (IBM, New York)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 41  号： 5  ページ： 482-484  発行年： 1982年09月01日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子線照射でSchottky障壁ダイオード中に発生する電子-...

シソーラス用語： Schottky障壁 ,...

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分類 (1件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 二次電子 ,  Schottky障壁高さ ,  非接触測定