文献

J-GLOBAL ID：200902001948390858   整理番号：81A0339833

半導体中の帯電した不純物の拡散を記述する解析的な式

Аналитическое выражение, описывающее диффузию заряженной примеси в полупроводнике.

著者 (1件)： МАЛКОВИЧ Р Ш
資料名： Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 15  号： 4  ページ： 773-775  発行年： 1981年04月 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ロシア (RUS)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 中性で相互作用のない不純物原子が拡散する際には良く知られてい...

シソーラス用語： 半導体 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=81A0339833&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=R0267A") }}

分類 (2件)： 固体中の拡散一般  (BL06021L) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： 帯電 ,  不純物 ,  拡散 ,  記述 ,  解析