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J-GLOBAL ID：200902001953900414   整理番号：88A0259840

GaAs/GaAlAsヘテロ接合におけるLO(縦光学)フォノンとTO(横光学)フォノンの散乱の競合

Competition between LO and TO phonon scattering in GaAs/GaAlAs heterojunctions.

著者 (5件)： BRUMMELL M A (Clarendon Lab., Oxford, GBR) ,  LEADLEY D R (Clarendon Lab., Oxford, GBR) ,  NICHOLAS R J (Clarendon Lab., Oxford, GBR) ,  HARRIS J J (Philips Research Lab., Surrey, GBR) ,  FOXON C T (Philips Research Lab., Surrey, GBR)
資料名： Surface Science  (Surface Science)
巻： 196  号： 1/3  ページ： 451-458  発行年： 1988年03月 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題ヘテロ接合における磁気フォノン共鳴を温度,電子密度,磁場...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (2件)： 半導体-半導体接触【’81~’92】  (BM03072N) ,  ポーラロン,電子-フォノン相互作用  (BM02130P)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  GaAlAs ,  ヘテロ接合 ,  フォノン ,  散乱 ,  競合