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文献
J-GLOBAL ID:200902001965484483   整理番号:87A0069682

イオン注入し焼なましたけい素の活性キャリア密度分布と散乱確率の赤外減衰全反射を用いた測定

Activated carrier density profile and scattering rate measurements of implanted and annealed silicon using infrared attenuated total reflection.
著者 (3件):
資料名:
巻: 49  号: 16  ページ: 1031-1033  発行年: 1986年10月20日 
JST資料番号: H0613A  ISSN: 0003-6951  CODEN: APPLAB  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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BとBF2をイオン注入し,1050°C...
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分類 (2件):
分類
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半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 

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