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J-GLOBAL ID：200902001968582575   整理番号：89A0490816

ナノメータ絶縁膜によるLSI用新デバイスの可能性

Possibility of novel device for LSI using nanometer insulator film.

著者 (3件)： 浅田雅洋 (東京工大 工) ,  坂口知明 (東京工大 工) ,  渡辺正裕 (東京工大 工)
資料名： 電子情報通信学会全国大会講演論文集  (電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集)
巻： 1989  号： Autumn Pt.5  ページ： 5.189-5.190  発行年： 1989年09月 
JST資料番号： G0508A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 絶縁体を能動領域として用いる,金属/絶縁体構造の空間電荷制御...

シソーラス用語： LSI【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス一般  (NC03010Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノメータ ,  絶縁膜 ,  LSI ,  可能性