陽電子消滅により研究したV<sub>3</sub>Si単結晶の格子欠陥

BRAUER G; DOERING C; ANDREEFF A; DLUBEK G; BRUEMMER O; JURISCH M; BEHR G

文献

J-GLOBAL ID：200902001975944210 整理番号：82A0058227

陽電子消滅により研究したV₃Si単結晶の格子欠陥

Lattice defects of V₃Si single crystals studied by positron annihilation.

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BRAUER G

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Applied Physics (Applied Physics)

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巻： 25 号： 1 ページ： 65-70 発行年： 1981年05月
JST資料番号： D0256B ISSN： 0340-3793 CODEN： APHYCC 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：ドイツ (DEU) 言語：英語 (EN)

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