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J-GLOBAL ID：200902001976206477   整理番号：92A0383395

X線定常波技術によって調べたCaF₂被覆層を有するS不動態化GaAs(111)の界面構造

Interface structures of S-passivated GaAs(111) with CaF₂ overlayers studied by X-ray standing wave technique.

著者 (6件)： SUGIYAMA M (NTT Interdisciplinary Research Lab., Tokyo, JPN) ,  MAEYAMA S (NTT Interdisciplinary Research Lab., Tokyo, JPN) ,  OSHIMA M (NTT Interdisciplinary Research Lab., Tokyo, JPN) ,  OIGAWA H (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  NANNICHI Y (Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN) ,  HASHIZUME H (Tokyo Inst. Technology, Yokohama, JPN)
資料名： KEK Progress Report  (KEK Progress Report)
号： 91-2  ページ： 4  発行年： 1992年 
JST資料番号： Y0762A  ISSN： 1344-6320  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： X線 ,  定常波 ,  CaF2 ,  被覆層 ,  不動態化 ,  GaAs ,  界面構造