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J-GLOBAL ID：200902001984856375   整理番号：93A0890517

Electrical Characterization of Lattice-Mismatched InP/InxGa1-xAs/InP Heterostructures and PIN Photodiodes Grown by LP-MOCVD.

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著者 (8件)：
POGANY D

POGANY D について

(INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA)

INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA について

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DUCROQUET F

DUCROQUET F について

(INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA)

INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA について

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ABABOU S

ABABOU S について

(INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA)

INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA について

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BREMOND G

BREMOND G について

(INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA)

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TABATA A S

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(INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA)

INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA について

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GUILLOT G

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(INSA-Lyon, Villeurbanne, FRA)

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KRAWCZYK S K

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(Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA)

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KLINGELHOEFER C

KLINGELHOEFER C について

(Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA)

Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA について


資料名：
Proceedings of the 15th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, 1991  (Proceedings of the 15th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, 1991)

Proceedings of the 15th State-of-the-Art Program on Compound Semiconductors, 1991 について


ページ： 183-190  発行年： 1992年 
JST資料番号： K19930533  ISBN： 1-56677-021-1  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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