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J-GLOBAL ID:200902001995019335   整理番号:84A0387971

多重量子井戸型構造GaAs-Ga1-xAlxAsにおけるHall移動度の電子濃度及び緩衝幅依存性

Electron concentration and buffer-width dependence of Hall mobility in GaAs-Ga1-xAlxAs multiple-quantum-well structures.
著者 (2件):
資料名:
巻: 29  号: 10  ページ: 5778-5787  発行年: 1984年05月15日 
JST資料番号: D0746A  ISSN: 1098-0121  CODEN: PRBMDO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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変調ドープした標記井戸において,層に平行な電子Hall移動度...
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分類 (1件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体-半導体接触【’81~’92】 

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