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J-GLOBAL ID：200902001995964110   整理番号：91A0056984

GaAs/CaF2の電子線露光選択成長における分離露光プロセスの検討

Separation of exposure process on selective growth of GaAs/CaF2 by electron beam exposure.
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著者 (2件)：
筒井一生

筒井一生 について

(東京工大 総合理工学研究科)

東京工大 総合理工学研究科 について

, 
古川静二郎

古川静二郎 について

(東京工大 総合理工学研究科)

東京工大 総合理工学研究科 について


資料名：
応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)

応用物理学会学術講演会講演予稿集 について


巻： 51st  号： 3  ページ： 1157  発行年： 1990年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
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GaAs

GaAs について

, 
CaF2

CaF2 について

, 
電子線露光

電子線露光 について

, 
選択成長

選択成長 について

, 
露光プロセス

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