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文献
J-GLOBAL ID:200902002001306884   整理番号:92A0177112

78Kの照射後の等時間アニール中の金属-酸化物-半導体デバイス中の界面捕獲中心の生成

Formation of interface traps in metal-oxide-semiconductor devices during isochronal annealing after irradiation at 78K.
著者 (4件):
資料名:
巻: 70  号: 12  ページ: 7434-7442  発行年: 1991年12月15日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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78Kでの60Coからのガンマ線照射後...
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分類 (2件):
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金属-絶縁体-半導体構造【’81~’92】  ,  半導体の放射線による構造と物性の変化 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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