多量にSiドープした分子ビームエピタキシャル成長GaAsの単一エネルギー陽電子法による欠陥の評価

文献

J-GLOBAL ID：200902002006763779 整理番号：92A0126763

The Defect Characterization of Heavily Si-doped Molecular Beam Epitaxy-Grown GaAs by the Monoenergetic Positron Method.

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巻： 30 号： 11A ページ： 2863-2867 発行年： 1991年11月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

100eV~30keVの単一エネルギーの陽電子を欠陥プローブ...

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半導体の格子欠陥 , 陽電子消滅

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