文献

J-GLOBAL ID：200902002007457426   整理番号：88A0014988

光電気化学的インピーダンス測定による,誘電物質/けい素界面の新特性化法

Nouvelle methode de caracterisation de l’interface dielectrique/silicium par mesure des impedances optoelectrochimiques (M.I.O.).

著者 (4件)： MARTIN J R (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  STRICOT Y (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  ROYER P (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA) ,  CLECHET P (Ecole Centrale de Lyon, Ecully, FRA)
資料名： Annales de Chimie. Science des Materiaux  (Annales de Chimie. Science des Materiaux)
巻： 12  号： 4/5  ページ： 389-393  発行年： 1987年 
JST資料番号： A0402A  ISSN： 0151-9107  CODEN： ANCPAC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： 構造についての光学的摂動は,半導体と界面状態の電気的性質を得...

シソーラス用語： ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=88A0014988&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=A0402A") }}

分類 (1件)： その他の半導体を含む系の接触【’81~’92】  (BM03075M)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光電気化学 ,  インピーダンス測定 ,  誘電物質 ,  けい素 ,  界面 ,  特性化