文献

J-GLOBAL ID：200902002014356945   整理番号：86A0112142

Mott-Schottkyプロットの周波数依存性

The frequency dependence of Mott-Schottky plots.

著者 (3件)： BRAUN C M (Univ. Tokyo) ,  FUJISHIMA A (Univ. Tokyo) ,  HONDA K (Kyoto Univ.)
資料名： Chemistry Letters  (Chemistry Letters)
号： 11  ページ： 1763-1766  発行年： 1985年11月 
JST資料番号： S0742A  ISSN： 0366-7022  CODEN： CMLTAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CdS(0001)/aq・KCl接合の空間電荷層の充電電流を...

シソーラス用語： 硫化カドミウム ,...
準シソーラス用語： Mott-Schottkyプロット

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=86A0112142&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0742A") }}

分類 (1件)： 光化学一般  (CB08010U)

引用文献 (9件)：

• 1) J. Dewald, J. Phys. Chem. Solids, 14, 155 (1960).
• 2) S. R. Morrison, “Electrochemistry at Semiconductor and Oxidized Metal Electrodes,” Wiley, New York (1980), p. 95;
•  S. R. Morrison, “Electrochemistry at Semiconductor and Oxidized Metal Electrodes,” Wiley, New York (1980), p. 167.
• 3) C. M. Braun, A. Fujishima, and K. Honda, Surface Sci., in press.
• 4) F. Lohmann, Ber. Bunsenges. Phys. Chem., 70, 429 (1966).

タイトルに関連する用語 (2件)： Mott-Schottkyプロット ,  周波数依存性