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J-GLOBAL ID：200902002024079575   整理番号：90A0241770

n-GaAsへのAuGeNiをベースとしたOhm接触のトポグラフィーの改良

Improvements in the topography of AuGeNi-based ohmic contacts to n-GaAs.

著者 (1件)： BALL R K (GEC Hirst Research Centre, London, GBR)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 176  号： 1  ページ： 55-68  発行年： 1989年09月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 示差走査熱量測定とX線回折を組み合わせて,AuGeNiベース...

シソーラス用語： Ohm接触 ,...
準シソーラス用語： 固液反応

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分類 (2件)： 半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  Ohm接触 ,  トポグラフィー