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J-GLOBAL ID：200902002030714886   整理番号：90A0919629

Poly-SiへのBF₂イオン注入と熱処理再分布

Redistribution of BF₂ ion implantation in poly-Si.

著者 (5件)： 石渡統 (富士電機総研) ,  榎本良成 (富士電機総研) ,  西沢正人 (富士電機総研) ,  古森敏夫 (富士電機総研) ,  長野恵 (富士電機総研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 51st  号： 2  ページ： 634  発行年： 1990年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  イオン注入 ,  熱処理 ,  再分布