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J-GLOBAL ID：200902002033759791   整理番号：87A0410652

イオンビームエッチングした四分環共振器を持つ低しきい値GaAs/GaAlAs埋込みヘテロ構造レーザ

Low-threshold GaAs/GaAlAs buried heterostructure laser with an ion-beam-etched quarter ring cavity.

著者 (6件)： SANSONETTI P (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  RIBOT H (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  BRANDON J (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  MENIGAUX L (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  DUGRAND L (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA) ,  BOUADMA N (Centre National d’Etudes des Te ́le ́communications, Bagneux, FRA)
資料名： Electronics Letters  (Electronics Letters)
巻： 23  号： 10  ページ： 485-487  発行年： 1987年05月07日 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空洞に沿って一定のストリップ構造を持たせることにより,半導体...

シソーラス用語： 半導体レーザ ,...
準シソーラス用語： モノリシック集積回路

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (9件)： イオンビームエッチング ,  環 ,  共振器 ,  しきい値 ,  GaAs ,  GaAlAs ,  埋込み ,  ヘテロ構造 ,  レーザ