温度依存の光ルミネッセンス偏光で調べた秩序Ga<sub>0.5</sub>In<sub>0.5</sub>Pの価電子バンド分裂

KANATA T; NISHIMOTO M; NAKAYAMA H; NISHINO T

文献

J-GLOBAL ID：200902002033951870 整理番号：92A0302493

温度依存の光ルミネッセンス偏光で調べた秩序Ga_0.5In_0.5Pの価電子バンド分裂

Valence-band splitting in ordered Ga_0.5In_0.5P studied by temperature-dependent photoluminescence polarization.

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資料名：
巻： 45 号： 12 ページ： 6637-6642 発行年： 1992年03月15日
JST資料番号： D0746A ISSN： 1098-0121 CODEN： PRBMDO 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

MOVPE成長で(001)GaAs基板上に作製したGa<su...

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半導体結晶の電子構造 , 半導体のルミネセンス

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温度依存の光ルミネッセンス偏光で調べた秩序Ga0.5In0.5Pの価電子バンド分裂

温度依存の光ルミネッセンス偏光で調べた秩序Ga_0.5In_0.5Pの価電子バンド分裂