イオン注入シリコンのレーザ焼なまし後に観測される欠陥の起源

MESLI A; MULLER J C; SALLES D; SIFFERT P

文献

J-GLOBAL ID：200902002040643014 整理番号：82A0075436

イオン注入シリコンのレーザ焼なまし後に観測される欠陥の起源

Origin of the defects observed after laser annealing of implanted silicon.

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巻： 39 号： 2 ページ： 159-160 発行年： 1981年07月15日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の格子欠陥 , 不純物・欠陥の電子構造

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