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J-GLOBAL ID：200902002044419666   整理番号：83A0289787

非晶質半導体の電子過程モデル 構造的特徴との相関

Model of electronic processes in glassy semiconductors: Correlation with structural features.

著者 (1件)： KLINGER M I (A. F. Ioffe Physico-Technical Inst. Academy of Sciences, USSR)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 45  号： 11  ページ： 949-953  発行年： 1983年03月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質半導体の移動度ギャップ状態に関連する電子過程のモデルを...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 非晶質の電子構造【’81~’86】  (BM02040R) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 非晶質半導体 ,  電子 ,  過程 ,  モデル ,  構造的特徴 ,  相関