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J-GLOBAL ID：200902002048383461   整理番号：93A0827797

n-GaAs/電解質接合の界面領域を介する光電流分布

Photocurrent Distribution across the Interfacial Region of the n-GaAs/Electrolyte Junction.

著者 (3件)： PEAT R (AEA Industrial Technology, Didcot, GBR) ,  KUCERNAK A R (AEA Industrial Technology, Didcot, GBR) ,  WILLIAMS D E (AEA Industrial Technology, Didcot, GBR)
資料名： Faraday Discussions  (Faraday Discussions)
号： 94  ページ： 369-385  発行年： 1992年 
JST資料番号： C0377A  ISSN： 1359-6640  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 走査型レーザー顕微鏡により電解質界面でのn-GaAsの光電気...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 走査型レーザ顕微鏡

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分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  その他の半導体を含む系の接触  (BM03086O)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  電解質 ,  界面 ,  光電流 ,  分布