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文献
J-GLOBAL ID:200902002048661658   整理番号:90A0849260

GaAs上の有機金属気相エピタキシャル成長ZnSeにおける深い準位欠陥の深準位過渡分光法による研究

A study of deep-level defects in metalorganic vapor-phase-epitaxy-grown ZnSe on GaAs by deep-level transient spectroscopy.
著者 (2件):
資料名:
巻: 68  号:ページ: 2535-2537  発行年: 1990年09月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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抄録/ポイント
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GaAs基板上に有機金属気相エピタクシーで成長させて,Li<...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
不純物・欠陥の電子構造  ,  半導体の格子欠陥 

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