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J-GLOBAL ID：200902002052952446   整理番号：90A0915044

Au基薄膜とGaAs接点における界面反応の透過電子顕微鏡観察

Transmission electron microscopy study of the interfacial reactions in gold-based contacts to gallium arsenide.

著者 (2件)： KIM T (PlessCor Optronics Imc., California, USA) ,  CHUNG D D L (State Univ. New York, New York, USA)
資料名： Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties  (Philosophical Magazine. A. Physics of Condensed Matter: Structure, Defects and Mechanical Properties)
巻： 62  号： 3  ページ： 283-317  発行年： 1990年09月 
JST資料番号： E0753B  ISSN： 0141-8610  CODEN： PMAADG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsとAu基多層膜(Au,Au/Ge/Au,Ni/Au...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (3件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体-金属接触【’81~’92】  (BM03073E) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (6件)： Au基 ,  薄膜 ,  GaAs ,  界面反応 ,  透過電子顕微鏡 ,  観察