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J-GLOBAL ID：200902002061295504   整理番号：89A0545302

AlxGa1-xAs/GaAs量子井戸型光検出器の特性評価

Characterization of a quantum well AlxGa1-xAs/GaAs photodetector.
著者 (3件)：
HAJJAR F

HAJJAR F について

(Case Western Reserve Univ., OH, USA)

Case Western Reserve Univ., OH, USA について

, 
CLASPY P C

CLASPY P C について

(Case Western Reserve Univ., OH, USA)

Case Western Reserve Univ., OH, USA について

, 
TABIB-AZAR M

TABIB-AZAR M について

(Case Western Reserve Univ., OH, USA)

Case Western Reserve Univ., OH, USA について


資料名：
Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)

Solid-State Electronics について


巻： 32  号： 9  ページ： 801-805  発行年： 1989年09月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標記変調ドープ(x=0.3)構造のインタディジット型光導電体...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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変調ドーピング

変調ドーピング について

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分類 (1件)：
分類
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光導電素子 
(NC03083X)

光導電素子 について

タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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GaAs

GaAs について

, 
量子井戸

量子井戸 について

, 
光検出器

光検出器 について

, 
特性評価

特性評価 について


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