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J-GLOBAL ID：200902002079202970   整理番号：82A0342632

アモルファス半導体におけるバンドギャップゆらぎ

Band-gap fluctuations in amorphous semiconductors.

著者 (1件)： DUNSTAN D J (Centre d’Etudes Nucleaires de Grenoble, France)
資料名： Solid State Communications  (Solid State Communications)
巻： 43  号： 5  ページ： 341-344  発行年： 1982年08月 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： a-Si:Hのようなアモルファス半導体の指数関係的吸収端を,...

シソーラス用語： 非晶質半導体 ,...

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分類 (2件)： 非晶質の電子構造【’81~’86】  (BM02040R) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： アモルファス半導体 ,  バンドギャップ ,  ゆらぎ