文献

J-GLOBAL ID：200902002083667553   整理番号：92A0316827

HgCdTeエピ層の双晶形成機構

Twin-formation mechanisms for HgCdTe epilayers.

著者 (7件)： KAWANO M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ODA N (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  SASAKI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ICHIHASHI T (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  IIJIMA S (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  KANNO T (Japan Defence Agency, Tokyo, JPN) ,  SAGA M (Japan Defence Agency, Tokyo, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 117  号： 1/4  ページ： 171-176  発行年： 1992年02月 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーによりCdZnTe基板上にHgCdTeエピ...

シソーラス用語： テルル化カドミウム水銀 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=92A0316827&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： HgCdTe ,  エピ層 ,  双晶形成