Si表面障壁フォトダイオードの長期的光子及び荷電粒子応答

TUZZOLINO A J

文献

J-GLOBAL ID：200902002085916887 整理番号：83A0065614

Si表面障壁フォトダイオードの長期的光子及び荷電粒子応答

Long-term photo and charged particle response of Si surface-barrier photodiodes.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=83A0065614&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=83A0065614&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0208A") }}

著者 (1件)：
資料名：
巻： 204 号： 1 ページ： 161-169 発行年： 1982年12月15日
JST資料番号： D0208A ISSN： 0029-554X CODEN： NIMRD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

波長領域365~700nmの光子に対し,新しい(約1ケ月)フ...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=83A0065614&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0208A") }}

放射線検出・検出器 , 光導電素子

, , , , , ,

前のページに戻る