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J-GLOBAL ID：200902002088361690   整理番号：91A0033756

RIEによるエッチバック法を用いたW電極自己整合型AlGaAs/GaAs HBT

Self-aligned AlGaAs/GaAs HBTs with W electrode utilizing etch-back process.

著者 (4件)： 牧村隆司 (NTT LSI研) ,  入戸野巧 (NTT LSI研) ,  永田公一 (NTT LSI研) ,  中島長明 (NTT LSI研)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 51st  号： 3  ページ： 1073  発行年： 1990年09月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (6件)： RIE ,  エッチバック ,  自己整合 ,  AlGaAs ,  GaAs ,  HBT