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J-GLOBAL ID：200902002088773017   整理番号：88A0114233

緩和時間近似を用いた小半導体デバイスの解析モデリング

Analytical modeling of small semiconductor devices using the relaxation time approximation.

著者 (3件)： SONE J (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  KIMURA T (NEC Corp., Kawasaki, JPN) ,  YAMADA T (NEC Corp., Kawasaki, JPN)
資料名： Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987  (Extended Abstracts of the 19th Conference on Solid State Devices and Materials, 1987)
ページ： 379-382  発行年： 1987年 
JST資料番号： K19870562  ISBN： 4-930813-21-2  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 小FETに対する新しい解析モデルを開発した。バイポーラトラン...

シソーラス用語： 緩和時間 ,...
準シソーラス用語： 模型

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 緩和時間 ,  近似 ,  半導体デバイス ,  解析 ,  モデリング