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J-GLOBAL ID：200902002090793807   整理番号：91A0216853

p-n-p型AlGaAs/GaAs HBTの正孔拡散係数とコレクタ走行時間の実験値

Experimental Values for the hole diffusion coefficient and collector transit velocity in P-n-p AlGaAs/GaAs HBT’s.

著者 (7件)： SLATER D B JR (Research Triangle Inst., NC) ,  ENQUIST P M (Research Triangle Inst., NC) ,  NAJJAR F E (Research Triangle Inst., NC) ,  CHEN M Y (Research Triangle Inst., NC) ,  HUTCHBY J A (Research Triangle Inst., NC) ,  MORRIS A S (North Carolina State Univ., NC) ,  TREW R J (North Carolina State Univ., NC)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 12  号： 2  ページ： 54-56  発行年： 1991年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記HBT中の正孔の拡散係数D_hとコレ...

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaAs ,  GaAs ,  HBT ,  正孔 ,  拡散係数 ,  コレクタ ,  走行時間 ,  実験値