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J-GLOBAL ID：200902002090823048   整理番号：90A0018531

ランプアニールによるエミッタ・ベース自己整合型トランジスタのベース引出しPoly Si電極の低抵抗化

Resistivity reduction of base polycrystalline silicon electrode in emitter-base self-aligned bipolar transistor by means of lamp annealing.

著者 (3件)： 宇田日出 (日立) ,  大園世子 (日立) ,  大和田伸郎 (日立)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 89  号： 263(SDM89 111-119)  ページ： 49-54  発行年： 1989年10月27日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 通常の拡散炉体を用いた熱処理(950°C,40分)により浅接合...

シソーラス用語： バイポーラトランジスタ ,...
準シソーラス用語： ランプアニール

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： ランプ ,  アニール ,  エミッタ ,  自己整合 ,  トランジスタ ,  引出し ,  Si ,  低抵抗