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J-GLOBAL ID：200902002091047122   整理番号：92A0465203

昇温脱離ガス分析法によるプラズマCVD-SiO膜の構造解析

Structural Studies of TEOS-based Plasma CVD SiO Films using Fourier Transform Infrared and Thermal Desorption Spectroscopies.

著者 (3件)： 時藤俊一 (沖電気工業) ,  内田英次 (沖電気工業) ,  平下紀夫 (沖電気工業)
資料名： 半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 42nd  ページ： 31-36  発行年： 1992年06月 
JST資料番号： F0108B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ULSIの多層配線の平坦化技術が重要でTEOSを用いる方法が...

シソーラス用語： 超LSI ,...
準シソーラス用語： けい酸エステル

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分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 昇温脱離 ,  分析法 ,  プラズマCVD ,  SiO膜 ,  構造解析