文献
J-GLOBAL ID：200902002832261704
整理番号：88A0576968
基板のインピーダンス同調によって作製したa-Si:Hの構造に対する水素希釈効果
Effect of hydrogen dilution on structure of a-Si:H prepared by substrate impedance tuning technique.
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著者 (4件)：
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資料名：
巻：
27
号：
4
ページ：
475-479
発行年：
1988年04月
JST資料番号：
G0520B
ISSN：
0021-4922
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
日本 (JPN)
言語：
英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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ソースガスSiH
4の水素希釈の構造不均...
シソーラス用語：
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分類 (2件)：
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜
, 非晶質半導体の構造
タイトルに関連する用語 (6件)：
タイトルに関連する用語
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